So sánh tốc độ của các thế hệ công nghệ sạc nhanh. - Ảnh: TalkAndroid

Quick Charge 3.0 là thế hệ thứ ba của công nghệ này và là công nghệ đầu tiên ứng dụng thuật toán mới INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage – Trao đổi thông minh để lựa chọn điện áp tối ưu).

Đây là một thuật toán mới được Qualcomm phát triển và được thiết kế để cho phép các thiết bị cầm tay có được khả năng xác định việc cần yêu cầu mức độ công suất nào ở những thời điểm khác nhau để đảm bảo hiệu quả truyền tải công suất điện tối ưu trong khi vẫn đạt được hiệu suất cao nhất.

Với Quick Charge 3.0 bạn có thể sạc pin cho một chiếc điện thoại di động từ mức 0% lên 80% trong vòng khoảng 35 phút trong khi những thiết bị di động thông thường không được trang bị công nghệ Quick Charge phải mất tới 90 phút.

Quick Charge 3.0 được thiết kế để đạt được hiệu quả cao hơn tới 38% so với Quick Charge 2.0, đồng thời triển khai thêm nhiều bước để bảo vệ tuổi thọ của viên pin.

Ngoài ra, Quick Charge 3.0 còn góp phần đẩy nhanh tốc độ sạc pin tới 27% hoặc giảm mức độ tiêu tán năng lượng do nhiệt tới 45% so với Quick Charge 2.0. Công nghệ mới còn cho tốc độ sạc pin nhanh hơn tới 2 lần so với Quick Charge 1.0.

Theo Qualcomm, Quick Charge 3.0 sẽ được cung cấp dưới dạng một tùy chọn trên một số bộ vi xử lý Qualcomm Snapdragon nhất định, bao gồm cả Snapdragon 820, 620, 618, 617 và 430 và dự kiến có mặt trên các thiết bị di động được ra mắt vào năm tới.